科客点评：Intel也是被AMD逼怕了，现在除了展示最新科技也没发从销量上来宣示市场权威地位了。

　　在9月19日于中国举办的“精尖制造日”活动上，Intel全球首次展示了用于Cannon Lake处理器的10nm晶圆。Intel强调，其拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度，领先其他“10纳米”整整一代，即3年。

　　这几年，Intel新工艺的前进步伐明显慢了下来，三星、台积电则是一路狂飙，而且完全不按套路出牌，节点命名相当随意，16nm优化一下就叫12nm，甚至10/9/8/7/6/5nm一口气都推上去。

　　在今天的精尖制造日上，Intel就对比了自家和台积电、三星的10nm工艺，力图证明自己才是真正的10nm，技术上更先进。可以说，Intel定义的14nm/10nm是最权威的水平，其他两家都是掺水的，三星最糙。

　　此外官方表示将在中国区开疆拓土，接受22nm FL/14nm FinFET/10nm FinFET等代工合同，主要瞄准高端伙伴。

　　面对未来，Intel其实也准备了很多好牌，10nm产品发布在即，7nm基本准备就绪，5nm、3nm也都在规划之中。

　　从Intel给出的路线图看，5nm、3nm还处于前沿研究阶段，具体如何实现尚未定型，量产更不知何年何月，但无论如何，这意味着Intel对于硅半导体技术的追求将坚定地走下去。

　　而为了达成5nm、3nm，Intel也在做很多技术上的前沿研究，包括纳米线晶体管、III-V族晶体管，3D堆叠、密集内存、密集互联、EUV极紫外光刻图案成形、神经元计算、自旋电子学等等。

　　至于摩尔定律的极限到底在哪里，谁也不知道。

　　有趣的是，台积电整整一年前就公布了自己的5nm、3nm规划，并称已有三四百人的团队在攻关3nm，但没有透露任何详细情况。添加科客公众号kekebat，获取更多精彩资讯。（快科技，原标题《最强22/14/10nm芯片！Intel向中国开放代工：碾压三星》）